Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXFN32N80P
IXFN32N80P
IXFN32N80P
Part Number:
IXFN32N80P
Výrobce:
IXYS Corporation
Popis:
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
Stav RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství na skladě:
70956 Pieces
Čas doručení:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Doba výroby:
4-8 weeks
Datový list:
IXFN32N80P.pdf
Dotaz

Úvod

We can supply IXFN32N80P, use the request quote form to request IXFN32N80P pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFN32N80P.The price and lead time for IXFN32N80P depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFN32N80P.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Číslo interní součásti RO-IXFN32N80P
Stav Original New
Země původu Contact us
Nejlepší značení email us
Výměna, nahrazení See datasheet
Napětí - Test:8820pF @ 25V
Napětí - Rozdělení:SOT-227B
Vgs (th) (max) 'Id:270 mOhm @ 16A, 10V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Série:PolarHV™
Stav RoHS:Tube
RDS On (Max) @ Id, Vgs:29A
Polarizace:SOT-227-4, miniBLOC
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Chassis Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:8 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IXFN32N80P
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:150nC @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:5V @ 8mA
FET Feature:N-Channel
Rozšířený popis:N-Channel 800V 29A 625W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Drain na zdroj napětí (Vdss):-
Popis:MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:800V
kapacitní Ratio:625W (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro IXFN32N80P

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
IXFN300N20X3 Image IXFN300N20X3 IXYS Corporation 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Dotaz
IXFN360N15T2 Image IXFN360N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 Dotaz
IXFN38N100P Image IXFN38N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B Dotaz
IXFN32N120P Image IXFN32N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B Dotaz
IXFN32N60 Image IXFN32N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 Dotaz
IXFN32N100Q3 Image IXFN32N100Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227 Dotaz
IXFN32N100P Image IXFN32N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B Dotaz
IXFN340N06 Image IXFN340N06 IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B Dotaz
IXFN360N10T Image IXFN360N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B Dotaz
IXFN320N17T2 Image IXFN320N17T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 Dotaz
IXFN300N10P Image IXFN300N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227 Dotaz
IXFN280N085 Image IXFN280N085 IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B Dotaz
IXFN34N100 Image IXFN34N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B Dotaz
IXFN36N110P Image IXFN36N110P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B Dotaz
IXFN36N100 Image IXFN36N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B Dotaz
IXFN36N60 Image IXFN36N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B Dotaz
IXFN30N110P Image IXFN30N110P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B Dotaz
IXFN34N80 Image IXFN34N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B Dotaz
IXFN340N07 Image IXFN340N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B Dotaz
IXFN30N120P Image IXFN30N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B Dotaz

Latest News