Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > EPC2108
EPC2108
EPC2108
Part Number:
EPC2108
Výrobce:
EPC
Popis:
MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Stav RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství na skladě:
65657 Pieces
Čas doručení:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Doba výroby:
4-8 weeks
Datový list:
EPC2108.pdf
Dotaz

Úvod

We can supply EPC2108, use the request quote form to request EPC2108 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2108.The price and lead time for EPC2108 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2108.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Číslo interní součásti RO-EPC2108
Stav Original New
Země původu Contact us
Nejlepší značení email us
Výměna, nahrazení See datasheet
Vgs (th) (max) 'Id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Dodavatel zařízení Package:9-BGA (1.35x1.35)
Série:eGaN®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Power - Max:-
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:9-VFBGA
Ostatní jména:917-1169-2
Provozní teplota:-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:14 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Typ FET:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET Feature:GaNFET (Gallium Nitride)
Drain na zdroj napětí (Vdss):60V, 100V
Detailní popis:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:1.7A, 500mA
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro EPC2108

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Dotaz
EPC2203 Image EPC2203 EPC GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR Dotaz
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Dotaz
EPC2202 Image EPC2202 EPC GANFET N-CH 80V 18A DIE Dotaz
EPC2110ENGRT Image EPC2110ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE Dotaz
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE Dotaz
EPC2115ENGRT Image EPC2115ENGRT EPC 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER Dotaz
EPC2111ENGRT Image EPC2111ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Dotaz
EPC2106 Image EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE Dotaz
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE Dotaz
EPC2110 Image EPC2110 EPC MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE Dotaz
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Dotaz
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Dotaz
EPC2801 Image EPC2801 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE Dotaz
EPC2111 Image EPC2111 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Dotaz
EPC2112ENGRT Image EPC2112ENGRT EPC 200 V GAN IC FET DRIVER Dotaz
EPC2106ENGRT Image EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Dotaz
EPC2107ENGRT Image EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE Dotaz
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA Dotaz
EPC2108ENGRT Image EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE Dotaz

Latest News