GDP30S120B
- Номер на частта:
- GDP30S120B
- Производител:
- Global Power Technologies Group
- описание:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 39435 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- GDP30S120B.pdf
Въведение
We can supply GDP30S120B, use the request quote form to request GDP30S120B pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number GDP30S120B.The price and lead time for GDP30S120B depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# GDP30S120B.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-GDP30S120B |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Напрежение - връх на връщане (Макс): | Silicon Carbide Schottky |
| Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: | 30A (DC) |
| Напрежение - Разбивка: | TO-247-2 |
| серия: | Amp+™ |
| Състояние на RoHS: | Tube |
| Време за обратно възстановяване (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Устойчивост @ Ако, F: | 1790pF @ 1V, 1MHz |
| поляризация: | TO-247-2 |
| Други имена: | 1560-1025-5 |
| Работна температура - връзка: | 0ns |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер на частта на производителя: | GDP30S120B |
| Разширено описание: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 30A (DC) Through Hole TO-247-2 |
| Диод конфигурация: | 100µA @ 1200V |
| описание: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2 |
| Текущо - обратно изтичане @ Vr: | 1.7V @ 30A |
| Ток - средно поправен (Io) (на диод): | 1200V (1.2kV) |
| Капацитет @ Vr, F: | -55°C ~ 135°C |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за GDP30S120B
Latest News
- Toshiba стартира SmartMCD Series Gate Driver IC с вграден микроконтролер
- Комплект за разгръщане на ADI Sambanova, насърчавайки производствената формула AI за постигане на пробив на ниво предприятие
- Honeywell и Adi се присъединиха към насърчаването на иновациите и промяната на автоматизацията на сградите
- Максим обяви старта
- Maxim стартира автомобил DC-DC Converter Max16984, автомобил с интегрирани USB зареждащи изброяващи изброяващи
- Renesas Electronics стартира първия програмируем електрически драйвер в индустрията IC
- Renesas стартира първото поколение 32-битово RISC-V CPU ядро
- Vishay стартира новото съединение с ниска сила 10 Mbd, едва 5 mA, диапазонът на напрежението е 2,7 V до 5,5 V
- Melexis стартира ново решение за интелигентно отклонение за интегриране на надеждна сигурност
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване
- Ерата на DDR5 се приближава и новите предизвикателства не могат да бъдат игнорирани
- Renesas отваря следващата карта на автомобила SOC и MCU Processor Product Route Map