FQA6N80_F109
- Номер на частта:
- FQA6N80_F109
- Производител:
- ON Semiconductor
- описание:
- MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 52930 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- FQA6N80_F109.pdf
Въведение
We can supply FQA6N80_F109, use the request quote form to request FQA6N80_F109 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FQA6N80_F109.The price and lead time for FQA6N80_F109 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FQA6N80_F109.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-FQA6N80_F109 |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (макс): | ±30V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | TO-3PN |
| серия: | QFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 1.95 Ohm @ 3.15A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 185W (Tc) |
| Опаковка: | Tube |
| Пакет / касета: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 1500pF @ 25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 800V |
| Подробно описание: | N-Channel 800V 6.3A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 6.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за FQA6N80_F109
Latest News
- OnSemi стартира първия в света опаковка за такси 650 V силициев карбид MOSFET
- Комплектът за разработка на двигатели ON Semiconductor се фокусира първо върху енергийната ефективност
- ON Semiconductor’s silicon photomultiplier (SiPM) lidar platform с директно време на полет (dToF) предоставя готови дизайни за индустриални приложения
- ON Semiconductor и Theta Power Systems International установяват партньорство за приложения за управление на двигателя
- ON Semiconductor назначава Hassane El-Khoury за главен изпълнителен директор (CEO)