Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - Arrays > APTM100A12STG
APTM100A12STG
Номер на частта:
APTM100A12STG
Производител:
Microsemi
описание:
MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Статус на RoHS:
Без олово / RoHS съвместим
Количество на склад:
65769 Pieces
Време за доставка:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Време за производство:
4-8 weeks
Информационен лист:
APTM100A12STG.pdf
Разследване

Въведение

We can supply APTM100A12STG, use the request quote form to request APTM100A12STG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APTM100A12STG.The price and lead time for APTM100A12STG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APTM100A12STG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификации

Вътрешен номер на част RO-APTM100A12STG
състояние Original New
Произход на страната Contact us
Най-висока маркировка email us
Замяна See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 10mA
Пакет на доставчик на устройства:SP3
серия:-
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:120 mOhm @ 34A, 10V
Мощност - макс:1250W
Опаковка:Bulk
Пакет / касета:SP3
Работна температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:Chassis Mount
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:17400pF @ 25V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:616nC @ 10V
Тип FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature:Standard
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):1000V (1kV)
Подробно описание:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 68A 1250W Chassis Mount SP3
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:68A
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за APTM100A12STG

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
APTLGF300A1208G Image APTLGF300A1208G Microsemi POWER MOD IGBT PHASE LEG LP8 Разследване
APTM100A18FTG Image APTM100A18FTG Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 Разследване
APTM08TDUM04PG Image APTM08TDUM04PG Microsemi MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P Разследване
APTM100A40FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 Разследване
APTM100AM90FG Image APTM100AM90FG Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 Разследване
APTM100A13SG Image APTM100A13SG Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 Разследване
APTM100A13DG Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 Разследване
APTL3216ZGCK Image APTL3216ZGCK Kingbright LED GREEN CLEAR 2SMD Разследване
APTLGT400A608G Image APTLGT400A608G Microsemi POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8 Разследване
APTLGVTR APEM Inc. SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V Разследване
APTM08TAM04PG Image APTM08TAM04PG Microsemi MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P Разследване
APTM100A13SCG Image APTM100A13SCG Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 Разследване
APTLVTR APEM Inc. SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V Разследване
APTM100DA18CT1G Microsemi MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 Разследване
APTM100A23SCTG Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 Разследване
APTM100A46FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 Разследване
APTLGF350A608G Image APTLGF350A608G Microsemi POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8 Разследване
APTLGT300A1208G Microsemi MOD IGBT 1200V 440A LP8 Разследване
APTM100A23STG Microsemi MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 Разследване
APTLGL325A1208G Image APTLGL325A1208G Microsemi POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8 Разследване

Latest News