رقم الجزء الداخلي | RO-SI4866DY-T1-E3 |
---|---|
شرط | Original New |
بلد المنشأ | Contact us |
أعلى العلامات | email us |
إستبدال | See datasheet |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 600mV @ 250µA (Min) |
فغس (ماكس): | ±8V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 1.6W (Ta) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
اسماء اخرى: | SI4866DY-T1-E3-ND SI4866DY-T1-E3TR SI4866DYT1E3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 33 Weeks |
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 30nC @ 4.5V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 2.5V, 4.5V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 12V |
وصف تفصيلي: | N-Channel 12V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Ta) |
Email: | [email protected] |