SI4501BDY-T1-GE3
رقم القطعة:
SI4501BDY-T1-GE3
الصانع:
Electro-Films (EFI) / Vishay
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكميه في المخزن:
59878 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days (We have stocks to ship now)
وقت الإنتاج:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
SI4501BDY-T1-GE3.pdf

المقدمة

We can supply SI4501BDY-T1-GE3, use the request quote form to request SI4501BDY-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI4501BDY-T1-GE3.The price and lead time for SI4501BDY-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI4501BDY-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

رقم الجزء الداخلي RO-SI4501BDY-T1-GE3
شرط Original New
بلد المنشأ Contact us
أعلى العلامات email us
إستبدال See datasheet
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:8-SOIC
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:17 mOhm @ 10A, 10V
السلطة - ماكس:4.5W, 3.1W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:SI4501BDY-T1-GE3TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:805pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:25nC @ 10V
نوع FET:N and P-Channel, Common Drain
FET الميزة:Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V, 8V
وصف تفصيلي:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12A, 8A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات