MB85R256FPF-G-BND-ERE1
MB85R256FPF-G-BND-ERE1
رقم القطعة:
MB85R256FPF-G-BND-ERE1
الصانع:
Fujitsu Electronics America, Inc.
وصف:
IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكميه في المخزن:
33072 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days (We have stocks to ship now)
وقت الإنتاج:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
MB85R256FPF-G-BND-ERE1.pdf

المقدمة

We can supply MB85R256FPF-G-BND-ERE1, use the request quote form to request MB85R256FPF-G-BND-ERE1 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number MB85R256FPF-G-BND-ERE1.The price and lead time for MB85R256FPF-G-BND-ERE1 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# MB85R256FPF-G-BND-ERE1.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

رقم الجزء الداخلي RO-MB85R256FPF-G-BND-ERE1
شرط Original New
بلد المنشأ Contact us
أعلى العلامات email us
إستبدال See datasheet
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:150ns
الجهد - توريد:2.7 V ~ 3.6 V
تكنولوجيا:FRAM (Ferroelectric RAM)
تجار الأجهزة حزمة:28-SOP
سلسلة:-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 85°C (TA)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:Non-Volatile
حجم الذاكرة:256Kb (32K x 8)
واجهة الذاكرة:Parallel
تنسيق الذاكرة:FRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns 28-SOP
وقت الدخول:150ns
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات