LRI2K-SBN18/2GE
- رقم القطعة:
- LRI2K-SBN18/2GE
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IC EEPROM MEMORY TAG WAFER
- بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكميه في المخزن:
- 82226 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- وقت الإنتاج:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LRI2K-SBN18/2GE.pdf
المقدمة
We can supply LRI2K-SBN18/2GE, use the request quote form to request LRI2K-SBN18/2GE pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number LRI2K-SBN18/2GE.The price and lead time for LRI2K-SBN18/2GE depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# LRI2K-SBN18/2GE.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
مواصفات
| رقم الجزء الداخلي | RO-LRI2K-SBN18/2GE |
|---|---|
| شرط | Original New |
| بلد المنشأ | Contact us |
| أعلى العلامات | email us |
| إستبدال | See datasheet |
| الذاكرة القابلة للكتابة: | 2kb (User) |
| تكنولوجيا: | Passive |
| نمط: | Inlay |
| المعايير: | ISO 15693, ISO 18000-3 |
| حجم / البعد: | 76.00mm x 45.00mm |
| سلسلة: | LRI2K |
| درجة حرارة التشغيل: | -20°C ~ 85°C |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع الذاكرة: | Read/Write |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد: | 13.56MHz |
| وصف تفصيلي: | RFID Tag Read/Write 2kb (User) Memory 13.56MHz ISO 15693, ISO 18000-3 Inlay |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLRI2K-SBN18/2GE
Latest الأخبار
- يوفر مفتاح القناة المزدوجة لأشباه الموصلات العالية مزيدًا من المرونة لتصميم محرك تحميل السعة
- تطلق St Semiconductor منتجات كربيد السيليكون من الجيل الثالث لتعزيز التنمية المستقبلية للسيارات الكهربائية والتطبيقات الصناعية.
- يسرع متحكم Manrorocontroller الرائد في سوق أشباه الموصلات في تطوير المنتجات اللاسلكية