العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTR16P60P
IXTR16P60P
IXTR16P60P
رقم القطعة:
IXTR16P60P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكميه في المخزن:
57141 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days (We have stocks to ship now)
وقت الإنتاج:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
IXTR16P60P.pdf
تحقيق

المقدمة

We can supply IXTR16P60P, use the request quote form to request IXTR16P60P pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXTR16P60P.The price and lead time for IXTR16P60P depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXTR16P60P.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

رقم الجزء الداخلي RO-IXTR16P60P
شرط Original New
بلد المنشأ Contact us
أعلى العلامات email us
إستبدال See datasheet
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUS247™
سلسلة:PolarP™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:790 mOhm @ 8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):190W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:ISOPLUS247™
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:26 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5120pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:92nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف تفصيلي:P-Channel 600V 10A (Tc) 190W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTR16P60P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTR210P10T Image IXTR210P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247 تحقيق
IXTQ96N15P Image IXTQ96N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 96A TO-3P تحقيق
IXTR32P60P Image IXTR32P60P IXYS Corporation MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 تحقيق
IXTQ96N20P Image IXTQ96N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 96A TO-3P تحقيق
IXTR120P20T Image IXTR120P20T IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247 تحقيق
IXTQ90N15T Image IXTQ90N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P تحقيق
IXTR48P20P Image IXTR48P20P IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247 تحقيق
IXTR140P10T Image IXTR140P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 90A ISOPLUS247 تحقيق
IXTQ96N25T Image IXTQ96N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P تحقيق
IXTR102N65X2 Image IXTR102N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247 تحقيق
IXTQ88N15 Image IXTQ88N15 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P تحقيق
IXTQ98N20T Image IXTQ98N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 98A TO-3P تحقيق
IXTR36P15P Image IXTR36P15P IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247 تحقيق
IXTR20P50P Image IXTR20P50P IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247 تحقيق
IXTR62N15P Image IXTR62N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH ISOPLUS-247 تحقيق
IXTR30N25 Image IXTR30N25 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247 تحقيق
IXTR170P10P Image IXTR170P10P IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247 تحقيق
IXTQ88N30P Image IXTQ88N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P تحقيق
IXTR40P50P Image IXTR40P50P IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247 تحقيق
IXTR200N10P Image IXTR200N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 تحقيق

Latest الأخبار