FDD6N50TM
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- FDD6N50TM
- ผู้ผลิต:
- Fairchild/ON Semiconductor
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 49151 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- FDD6N50TM.pdf
บทนำ
We can supply FDD6N50TM, use the request quote form to request FDD6N50TM pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDD6N50TM.The price and lead time for FDD6N50TM depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDD6N50TM.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-FDD6N50TM |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 9400pF @ 25V |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | D-Pak |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 900 mOhm @ 3A, 10V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด: | UniFET™ |
| สถานะ RoHS: | Tube |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 6A (Tc) |
| โพลาไรซ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ชื่ออื่น: | FDD6N50TM-5 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | FDD6N50TM |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 16.6nC @ 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
| คุณสมบัติ FET: | N-Channel |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | - |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 500V |
| อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ: | 89W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FDD6N50TM
ข่าว Latest
- หลักการทำงานของตัวเก็บประจุ
- Renesas เป็นคนแรกที่เปิดตัว RISC-V 32 บิตสากลกับเคอร์เนล CPU ที่พัฒนาขึ้นด้วยตนเอง
- ในเซ็นเซอร์ภาพต่ำของ Anmei หันหน้าเข้าหาระบบภาพที่ทันสมัย
- ADI ร่วมมือกับ BMW Group เพื่อเปิดตัวเทคโนโลยี Ethernet รถยนต์ 10MB ชั้นนำของอุตสาหกรรมเปิดบทใหม่ในรถยนต์นิยามซอฟต์แวร์
- Vishay เปิดตัวโพเทนชิออมิเตอร์ Knob ทำให้การออกแบบแอปพลิเคชันอุตสาหกรรมและเสียงง่ายขึ้นและค่าใช้จ่ายในการเพิ่มประสิทธิภาพ
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- ADI การปรับใช้ Sambanova Kit การส่งเสริมสูตรการผลิต AI เพื่อให้บรรลุความก้าวหน้าในระดับองค์กร
- Honeywell และ Adi ร่วมมือกันเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมและการเปลี่ยนแปลงของอาคารอัตโนมัติ
- Maxim ประกาศเปิดตัว
- Maxim เปิดตัวรถ DC-DC Converter Max16984 รถยนต์ที่มี enumers ชาร์จ USB แบบบูรณาการในตัว
- Renesas Electronics เปิดตัว IC เครื่องใช้ไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้เป็นเครื่องแรกของอุตสาหกรรม
- Renesas เปิดตัวเคอร์เนลรุ่นแรกของ RISC-V 32 บิต