FDD6N50TM
- Modèle de produit:
- FDD6N50TM
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 49151 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- FDD6N50TM.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-FDD6N50TM |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Test: | 9400pF @ 25V |
| Tension - Ventilation: | D-Pak |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 900 mOhm @ 3A, 10V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | UniFET™ |
| État RoHS: | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6A (Tc) |
| Polarisation: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | FDD6N50TM-5 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | FDD6N50TM |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 16.6nC @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
| Fonction FET: | N-Channel |
| Description élargie: | N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Tension drain-source (Vdss): | - |
| La description: | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 500V |
| Ratio de capacité: | 89W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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