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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFX20N120P
IXFX20N120P
IXFX20N120P
Modelo do Produto:
IXFX20N120P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
32211 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXFX20N120P.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IXFX20N120P
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Teste:11100pF @ 25V
Tensão - Breakdown:PLUS247™-3
VGS (th) (Max) @ Id:570 mOhm @ 10A, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:HiPerFET™, PolarP2™
Status de RoHS:Tube
RDS ON (Max) @ Id, VGS:20A (Tc)
Polarização:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFX20N120P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:193nC @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6.5V @ 1mA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1200V (1.2kV)
Rácio de capacitância:780W (Tc)
Email:[email protected]

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