SSM6J215FE(TE85L,F
- Part Number:
- SSM6J215FE(TE85L,F
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
- Status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Ilość w magazynie:
- 30064 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Czas produkcji:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SSM6J215FE(TE85L,F.pdf
Wprowadzenie
We can supply SSM6J215FE(TE85L,F, use the request quote form to request SSM6J215FE(TE85L,F pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SSM6J215FE(TE85L,F.The price and lead time for SSM6J215FE(TE85L,F depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SSM6J215FE(TE85L,F.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specyfikacje
| Wewnętrzny numer części | RO-SSM6J215FE(TE85L,F |
|---|---|
| Stan | Original New |
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Najlepsze oznaczanie | email us |
| Zastąpienie | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (maks.): | ±8V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | ES6 |
| Seria: | U-MOSVI |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 59 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Strata mocy (max): | 500mW (Ta) |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | SOT-563, SOT-666 |
| Inne nazwy: | SSM6J215FE(TE85LFCT |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 630pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 10.4nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | P-Channel 20V 3.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 3.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SSM6J215FE(TE85L,F
Latest Aktualności
- Toshiba opracował pierwszy w branży moduł MOSFET 2200 V MOSFET, aby pomóc w wydajnej i miniaturyzacji sprzętu przemysłowego
- TOSHIBA wydała pierwsze optoupler samochodowy tranzystorowy 200V
- TOSHIBA wprowadza na rynek wysoki współczynnik tłumienia tętnień i niskoszumowy regulator LDO o wyższej stabilności linii zasilającej
- TOSHIBA wprowadza cienkie i lekkie transoptory do napędów bramek IGBT i MOSFET, pracy w wysokich temperaturach, z tyłu lub z ograniczoną wysokością: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA wprowadza na rynek dyskretne tranzystory IGBT, które pomagają zmniejszyć zużycie energii i promieniowanie urządzeń gospodarstwa domowego: GT30J110SRA
- Toshiba wprowadza na rynek 2-kanałowy układ scalony sterownika silnika z mostkiem H 5A do zastosowań motoryzacyjnych
- Toshiba wprowadza na rynek 5 nowych zaawansowanych mikrokontrolerów z rodziny TXZ + ™ w celu uzyskania niskiego zużycia energii, wsparcia miniaturyzacji systemu i sterowania silnikiem