RN1130MFV,L3F
- Part Number:
- RN1130MFV,L3F
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
- Status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Ilość w magazynie:
- 55931 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Czas produkcji:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RN1130MFV,L3F.pdf
Wprowadzenie
We can supply RN1130MFV,L3F, use the request quote form to request RN1130MFV,L3F pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RN1130MFV,L3F.The price and lead time for RN1130MFV,L3F depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RN1130MFV,L3F.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specyfikacje
| Wewnętrzny numer części | RO-RN1130MFV,L3F |
|---|---|
| Stan | Original New |
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Najlepsze oznaczanie | email us |
| Zastąpienie | See datasheet |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Typ tranzystora: | NPN - Pre-Biased |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | VESM |
| Seria: | - |
| Rezystor - podstawa nadajnika (R2): | 100 kOhms |
| Rezystor - Podstawa (R1): | 100 kOhms |
| Moc - Max: | 150mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-723 |
| Inne nazwy: | RN1130MFV(TL3,T) RN1130MFV(TL3T)TR RN1130MFV(TL3T)TR-ND RN1130MFV,L3F(B RN1130MFV,L3F(T RN1130MFVL3F RN1130MFVL3F-ND RN1130MFVL3FTR RN1130MFVTL3T |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 250MHz |
| szczegółowy opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 10mA, 5V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 500nA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RN1130MFV,L3F
Latest Aktualności
- Toshiba opracował pierwszy w branży moduł MOSFET 2200 V MOSFET, aby pomóc w wydajnej i miniaturyzacji sprzętu przemysłowego
- TOSHIBA wydała pierwsze optoupler samochodowy tranzystorowy 200V
- TOSHIBA wprowadza na rynek wysoki współczynnik tłumienia tętnień i niskoszumowy regulator LDO o wyższej stabilności linii zasilającej
- TOSHIBA wprowadza cienkie i lekkie transoptory do napędów bramek IGBT i MOSFET, pracy w wysokich temperaturach, z tyłu lub z ograniczoną wysokością: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA wprowadza na rynek dyskretne tranzystory IGBT, które pomagają zmniejszyć zużycie energii i promieniowanie urządzeń gospodarstwa domowego: GT30J110SRA
- Toshiba wprowadza na rynek 2-kanałowy układ scalony sterownika silnika z mostkiem H 5A do zastosowań motoryzacyjnych
- Toshiba wprowadza na rynek 5 nowych zaawansowanych mikrokontrolerów z rodziny TXZ + ™ w celu uzyskania niskiego zużycia energii, wsparcia miniaturyzacji systemu i sterowania silnikiem