ニュース

TOSHIBAは、IGBTおよびMOSFETゲートドライブ、高温動作、背面または高さ制限位置用の薄くて軽いオプトカプラーを紹介します:TLP5751H、TLP5752H、TLP5754H

  • 著者:東芝
  • 発行::2021-01-18

東芝電子部品貯蔵株式会社(以下「東芝」)は、中小容量のIGBやMOSFETのドライブゲートを分離できるSO6Lパッケージのオプトカプラー製品であるTLP5751H、TLP5752H、TLP5754Hを発売しました。
新製品の使用温度(最高)は既存製品のものです[1]110°Cを125°に上げます。その主な特性は、その動作温度定格がTであることを指定しますA= -40〜 + 125°C、温度マージンの設計と維持が容易になります。
パッケージは薄くて小さく、最大高さは2.3 mmで、システムボード上のコンポーネント配置の柔軟性を向上させるのに役立ちます。さらに、パッケージは以前の製品にインストールできます[2]使用したSDIP6パッケージ[3]タイプについて。そのため、ボードの裏側や高さが制限された場所に、前の製品と交換して取り付けることができます。

注意:
[1]既存の製品:TLP5751、TLP5752、TLP5754
[2]以前の製品:TLP700H、TLP701H
[3]パッケージ通知:4.15mm(最大)

特性

応用

IGBTおよびMOSFET用の絶縁ゲート駆動回路

製品仕様

(特に指定のない限り、@ TA= -40〜 + 125°C)

デバイスモデル
パッケージ SO6L
Rail-to-Rail出力 ビルトイン
絶対最大定格 ピーク出力電流IOPH、 私OPL(A) ±1.0 ±2.5 ±4.0
電気的特性 電源電圧VCC最小/最大(V) 15/30
電源電流ICCH、 私CCL最大値(mA) 3.0
しきい値入力電流(L / H)
FLH最大値(mA)
4

スイッチの特性
伝搬遅延時間
tpLH、TpHL最大値(ns)
150
伝搬遅延時間
tpsk最小/最大(ns)
-80 / + 80
コモンモード過渡抑制
CMH、 CML最小値(kV /μs)
@ TA= 25℃
±35

ピン配置

The illustration of pin assignment of launch of photocouplers for IGBTs and MOSFETs gate drive that are thin, support high temperature operations, and can be mounted on the back side of a board or where height is limited : TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H.

応用回路例

The illustration of application circuit example of launch of photocouplers for IGBTs and MOSFETs gate drive that are thin, support high temperature operations, and can be mounted on the back side of a board or where height is limited : TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H.

この記事に示されているアプリケーション回路は参照用です。特に大量生産の設計段階では、徹底的な評価が必要です。
これらのアプリケーション回路の例の提供は、工業所有権のライセンスが付与されることを意味するものではありません。

このドキュメントの製品の価格と仕様、サービスの内容、および連絡先情報は、発表日の最新情報であり、予告なしに変更される場合があります。