TPN2R805PL,L1Q
部品型番:
TPN2R805PL,L1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
84677 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
TPN2R805PL,L1Q.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-TPN2R805PL,L1Q
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS(TH)(最大):2.4V @ 300µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-TSON Advance (3.3x3.3)
シリーズ:U-MOSIX-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):2.8 mOhm @ 40A, 10V
電力消費(最大):2.67W (Ta), 104W (Tc)
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:TPN2R805PLL1Q
運転温度:175°C
装着タイプ:Surface Mount
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:3.2nF @ 22.5V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:39nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:45V
詳細な説明:N-Channel 45V 139A (Ta), 80A (Tc) 2.67W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):139A (Ta), 80A (Tc)
Email:[email protected]

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