TPH4R10ANL,L1Q
部品型番:
TPH4R10ANL,L1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
66781 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
TPH4R10ANL,L1Q.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-TPH4R10ANL,L1Q
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 1mA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-SOP Advance (5x5)
シリーズ:U-MOSVIII-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):4.1 mOhm @ 35A, 10V
電力消費(最大):2.5W (Ta), 67W (Tc)
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:TPH4R10ANLL1Q
運転温度:150°C
装着タイプ:Surface Mount
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:6.3nF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:75nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
詳細な説明:N-Channel 100V 92A (Ta), 70A (Tc) 2.5W (Ta), 67W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):92A (Ta), 70A (Tc)
Email:[email protected]

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