内部モデル | RO-TPC8035-H(TE12L,QM |
---|---|
状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.3V @ 1mA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SOP (5.5x6.0) |
シリーズ: | U-MOSVI-H |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 3.2 mOhm @ 9A, 10V |
電力消費(最大): | 1W (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
他の名前: | TPC8035-H(TE12L,QM-ND TPC8035-HTE12LQMTR |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 7800pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 82nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
詳細な説明: | N-Channel 30V 18A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 18A (Ta) |
Email: | [email protected] |