内部モデル | RO-SSM6J501NU,LF |
---|---|
状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 1V @ 1mA |
Vgs(最大): | ±8V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 6-UDFNB (2x2) |
シリーズ: | U-MOSVI |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V |
電力消費(最大): | 1W (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 6-WDFN Exposed Pad |
他の名前: | SSM6J501NU,LF(A SSM6J501NU,LF(B SSM6J501NU,LF(T SSM6J501NULF SSM6J501NULF(TTR SSM6J501NULF(TTR-ND SSM6J501NULFTR |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2600pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 29.9nC @ 4.5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 1.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
詳細な説明: | P-Channel 20V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 10A (Ta) |
Email: | [email protected] |