内部モデル | RO-MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
電源電圧 - : | 1.1V |
技術: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
シリーズ: | - |
他の名前: | MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B-ND MT53D512M64D8HR-053WTES:B |
運転温度: | -30°C ~ 85°C (TC) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 32Gb (512M x 64) |
メモリインタフェース: | - |
メモリ形式: | DRAM |
鉛フリーステータス: | Lead free |
詳細な説明: | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1866MHz |
クロック周波数: | 1866MHz |
Email: | [email protected] |