Numéro de pièce interne | RO-MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B |
---|---|
État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
Tension - Alimentation: | 1.1V |
La technologie: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Séries: | - |
Autres noms: | MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B-ND MT53D512M64D8HR-053WTES:B |
Température de fonctionnement: | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de mémoire: | Volatile |
Taille mémoire: | 32Gb (512M x 64) |
Interface mémoire: | - |
Format de mémoire: | DRAM |
Statut sans plomb: | Lead free |
Description détaillée: | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1866MHz |
Fréquence d'horloge: | 1866MHz |
Email: | [email protected] |