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EPC2101ENG
EPC2101ENG
部品型番:
EPC2101ENG
メーカー:
EPC
説明:
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
84614 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
EPC2101ENG.pdf
オンラインお問い合わせ

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規格

内部モデル RO-EPC2101ENG
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS（TH）（最大）:2.5V @ 2mA
サプライヤデバイスパッケージ:Die
シリーズ:eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:11.5 mOhm @ 20A, 5V
電力 - 最大:-
パッケージング:Tray
パッケージ/ケース:Die
他の名前:917-EPC2101ENG
EPC2101ENGR_H5
EPC2101ENGRH5
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:300pF @ 30V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:2.7nC @ 5V
FETタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
FET特長:GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:60V
詳細な説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:9.5A, 38A
Email:[email protected]

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