内部モデル | RO-AS4C64M8D1-5TIN |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 15ns |
電源電圧 - : | 2.3 V ~ 2.7 V |
技術: | SDRAM - DDR |
サプライヤデバイスパッケージ: | 66-TSOP II |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
他の名前: | 1450-1329 AS4C64M8D1-5TIN-ND |
運転温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 512Mb (64M x 8) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | DRAM |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II |
クロック周波数: | 200MHz |
アクセス時間: | 700ps |
Email: | [email protected] |