内部モデル | RO-AS4C64M4SA-7TCN |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
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代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
電源電圧 - : | 3 V ~ 3.6 V |
技術: | SDRAM - DDR |
サプライヤデバイスパッケージ: | 54-TSOP II |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tray |
パッケージ/ケース: | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
他の名前: | 1450-1442 AS4C64M4SA-7TCN-ND |
運転温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 256Mb (64M x 4) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | DRAM |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
詳細な説明: | SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (64M x 4) Parallel 143MHz 5.5ns 54-TSOP II |
クロック周波数: | 143MHz |
アクセス時間: | 5.5ns |
Email: | [email protected] |