Numero di parte interno | RO-W632GU8AB-11 |
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Condizione | Original New |
Paese di origine | Contact us |
Contrassegno superiore | email us |
Sostituzione | See datasheet |
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
Tensione di alimentazione -: | 1.283 V ~ 1.45 V |
Tecnologia: | SDRAM - DDR3 |
Serie: | - |
temperatura di esercizio: | 0°C ~ 95°C (TC) |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo di memoria: | Volatile |
Dimensione della memoria: | 2Gb (128M x 16) |
Interfaccia di memoria: | Parallel |
Formato di memoria: | DRAM |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descrizione dettagliata: | SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 933MHz 20ns |
Frequenza dell'orologio: | 933MHz |
Tempo di accesso: | 20ns |
Email: | [email protected] |