RN2910FE,LF(CB
- Αριθμός εξαρτήματος:
- RN2910FE,LF(CB
- Κατασκευαστής:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Περιγραφή:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 33601 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- RN2910FE,LF(CB.pdf
Εισαγωγή
We can supply RN2910FE,LF(CB, use the request quote form to request RN2910FE,LF(CB pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RN2910FE,LF(CB.The price and lead time for RN2910FE,LF(CB depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RN2910FE,LF(CB.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-RN2910FE,LF(CB |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 50V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| transistor Τύπος: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | ES6 |
| Σειρά: | - |
| Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2): | - |
| Αντίσταση - Βάση (R1): | 4.7 kOhms |
| Ισχύς - Max: | 100mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-563, SOT-666 |
| Αλλα ονόματα: | RN2910FE(T5L,F,T) RN2910FE(T5LFT)TR RN2910FE(T5LFT)TR-ND RN2910FE,LF(CT RN2910FELF(CBTR RN2910FELF(CTTR RN2910FELF(CTTR-ND |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 16 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 200MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 100nA (ICBO) |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για RN2910FE,LF(CB
Latest Ειδήσεις
- Η Toshiba έχει αναπτύξει την πρώτη μονάδα MOSFET 2200V Dual -Carbide του κλάδου για να βοηθήσει την αποτελεσματική και μικρογραφία του βιομηχανικού εξοπλισμού
- Toshiba κυκλοφόρησε το πρώτο 200V τρανζίστορ optocoupler αυτοκίνητο παραγωγής
- Η TOSHIBA εγκαινιάζει υψηλή αναλογία απόρριψης κυματισμού και ρυθμιστή χαμηλού θορύβου LDO με υψηλότερη σταθερότητα γραμμής ισχύος
- Η TOSHIBA εισάγει λεπτούς και ελαφρούς οπτοζεύκτες για κίνηση IGBT και MOSFET, λειτουργία υψηλής θερμοκρασίας, οπίσθιες θέσεις ή θέσεις περιορισμού ύψους: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- Η TOSHIBA λανσάρει διακριτά IGBT που βοηθούν στη μείωση της κατανάλωσης ενέργειας και της ακτινοβολίας οικιακών συσκευών: GT30J110SRA
- Η Toshiba λανσάρει 5Α 2-καναλιών H-Bridge κινητήρα IC για εφαρμογές αυτοκινήτων
- Η Toshiba λανσάρει 5 νέους εξελιγμένους μικροελεγκτές οικογένειας TXZ + ™ για να επιτύχει χαμηλή κατανάλωση ενέργειας, μικρογραφία συστήματος υποστήριξης και έλεγχο κινητήρα