IPD200N15N3GBTMA1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IPD200N15N3GBTMA1
- Κατασκευαστής:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 87370 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IPD200N15N3GBTMA1.pdf
Εισαγωγή
We can supply IPD200N15N3GBTMA1, use the request quote form to request IPD200N15N3GBTMA1 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IPD200N15N3GBTMA1.The price and lead time for IPD200N15N3GBTMA1 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IPD200N15N3GBTMA1.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-IPD200N15N3GBTMA1 |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 90µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | PG-TO252-3 |
| Σειρά: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 50A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 150W (Tc) |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Αλλα ονόματα: | IPD200N15N3 GCT IPD200N15N3 GCT-ND IPD200N15N3GBTMA1CT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 1820pF @ 75V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 8V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 150V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 150V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
