BLF6G10L-260PBM,11 - Διανομέας Ampleon

BLF6G10L-260PBM,11

Αριθμός εξαρτήματος:: BLF6G10L-260PBM,11

Κατασκευαστής:: Ampleon

Περιγραφή:: RF FET LDMOS 65V SOT1110A

Κατάσταση RoHS:: Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS

Ποσότητα σε Απόθεμα:: 74933 Pieces

Ωρα παράδοσης:: 1-2 days (We have stocks to ship now)

Χρόνος παραγωγής:: 4-8 weeks

Φύλλο δεδομένων:: BLF6G10L-260PBM,11.pdf

Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply BLF6G10L-260PBM,11, use the request quote form to request BLF6G10L-260PBM,11 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number BLF6G10L-260PBM,11.The price and lead time for BLF6G10L-260PBM,11 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# BLF6G10L-260PBM,11.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους	RO-BLF6G10L-260PBM,11
Κατάσταση	Original New
Προέλευση χώρας	Contact us
Κορυφαία σήμανση	email us
Αντικατάσταση	See datasheet
Τάσης - Test:	28V
Τάση - Ονομαστική:	65V
transistor Τύπος:	LDMOS (Dual)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:	LDMOST
Σειρά:	-
Ισχύς - εξόδου:	40W
Συσκευασία:	Tube
Συσκευασία / υπόθεση:	SOT-1110A
Αλλα ονόματα:	934064281112
Θόρυβος Εικόνα:	-
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):	1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Κέρδος:	-
Συχνότητα:	-
Λεπτομερής περιγραφή:	RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1.8A 40W LDMOST
τρέχουσα Αξιολόγηση:	64A
Τρέχουσες - Test:	1.8A
Αριθμός μέρους βάσης:	BLF6G10
Email:	[email protected]

Συναφών ανταλλακτικών για BLF6G10L-260PBM,11

Αριθμός εξαρτήματος	Κατασκευαστές	Περιγραφή	Θέα
BLF6G10L-260PBM:11	Ampleon	RF FET LDMOS 65V SOT1110A	Έρευνα
BLF6G10-135RN,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A	Έρευνα
BLF6G10LS-135R,118	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B	Έρευνα
BLF6G10L-40BRN,118	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A	Έρευνα
BLF6G10L-260PRN,11	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A	Έρευνα
BLF6G10-200RN,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A	Έρευνα
BLF6G10-45,135	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A	Έρευνα
BLF647P,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A	Έρευνα
BLF6G10LS-160,112	Ampleon	RF FET LDMOS SOT502B	Έρευνα
BLF6G05LS-200RN,11	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B	Έρευνα
BLF6G10L-260PRN:11	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A	Έρευνα
BLF6G10-160RN,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A	Έρευνα
BLF647PS,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B	Έρευνα
BLF6G10L-40BRN,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A	Έρευνα
BLF6G10-45,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A	Έρευνα
BLF6G05LS-200RN:11	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B	Έρευνα
BLF6G10LS-135RN:11	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B	Έρευνα
BLF6G10LS-135RN,11	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B	Έρευνα
BLF6G10LS-135R,112	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B	Έρευνα
BLF647PSJ	Ampleon	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B	Έρευνα

Εισαγωγή

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Latest Ειδήσεις