Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > 2N7639-GA
2N7639-GA
Αριθμός εξαρτήματος:
2N7639-GA
Κατασκευαστής:
GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή:
TRANS SJT 650V 15A TO-257
Κατάσταση RoHS:
Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
Ποσότητα σε Απόθεμα:
63678 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
2N7639-GA.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply 2N7639-GA, use the request quote form to request 2N7639-GA pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 2N7639-GA.The price and lead time for 2N7639-GA depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 2N7639-GA.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-2N7639-GA
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):-
Τεχνολογία:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-257
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:105 mOhm @ 15A
Έκλυση ενέργειας (Max):172W (Tc)
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:TO-257-3
Αλλα ονόματα:1242-1150
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 225°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1534pF @ 35V
FET Τύπος:-
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):-
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):650V
Λεπτομερής περιγραφή:650V 15A (Tc) (155°C) 172W (Tc) Through Hole TO-257
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:15A (Tc) (155°C)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για 2N7639-GA

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
2N7227U Microsemi MOSFET N-CH 400V SMD1 Έρευνα
2N7636-GA GeneSiC Semiconductor TRANS SJT 650V 4A TO276 Έρευνα
2N7335 Microsemi Corporation MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB Έρευνα
2N7334 Microsemi Corporation MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB Έρευνα
2N7225 Microsemi MOSFET N-CH 200V TO-254AA Έρευνα
2N7227 Microsemi MOSFET N-CH 400V TO-254AA Έρευνα
2N7224U Microsemi MOSFET N-CH 100V 34A SMD1 Έρευνα
2N7635-GA Image 2N7635-GA GeneSiC Semiconductor TRANS SJT 650V 4A TO-257 Έρευνα
2N7224 Microsemi MOSFET N-CH 100V TO-254AA Έρευνα
2N720A STMicroelectronics TRANS NPN 80V 0.5A TO-18 Έρευνα
2N708 Image 2N708 Central Semiconductor TRANS NPN 15V TO-18 Έρευνα
2N7638-GA Image 2N7638-GA GeneSiC Semiconductor TRANS SJT 650V 8A TO276 Έρευνα
2N7236 Microsemi MOSFET P-CH 100V TO-254AA Έρευνα
2N7228U Microsemi MOSFET N-CH 500V SMD1 Έρευνα
2N7236U Microsemi MOSFET P-CH 100V SMD1 Έρευνα
2N7225U Microsemi MOSFET N-CH 200V SMD1 Έρευνα
2N7640-GA GeneSiC Semiconductor TRANS SJT 650V 16A TO276 Έρευνα
2N7637-GA Image 2N7637-GA GeneSiC Semiconductor TRANS SJT 650V 7A TO-257 Έρευνα
2N720A Image 2N720A Microsemi TRANS NPN 80V 0.5A TO-18 Έρευνα
2N7228 Microsemi MOSFET N-CH 500V TO-254AA Έρευνα

Latest Ειδήσεις