NTD65N03R-001
- Modèle de produit:
- NTD65N03R-001
- Fabricant:
- ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK
- Statut RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- la quantité en dépôt:
- 89930 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- NTD65N03R-001.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-NTD65N03R-001 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | I-PAK |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.4 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.3W (Ta), 50W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 25V |
| Description détaillée: | N-Channel 25V 9.5A (Ta), 32A (Tc) 1.3W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 9.5A (Ta), 32A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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