NSV60600MZ4T3G
- Modèle de produit:
- NSV60600MZ4T3G
- Fabricant:
- ON Semiconductor
- La description:
- TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 41777 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- NSV60600MZ4T3G.pdf
introduction
We can supply NSV60600MZ4T3G, use the request quote form to request NSV60600MZ4T3G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NSV60600MZ4T3G.The price and lead time for NSV60600MZ4T3G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NSV60600MZ4T3G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-NSV60600MZ4T3G |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 350mV @ 600mA, 6A |
| Transistor Type: | PNP |
| Package composant fournisseur: | SOT-223 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 800mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-261-4, TO-261AA |
| Autres noms: | NSV60600MZ4T3G-ND NSV60600MZ4T3GOSTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 11 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 100MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 6A 100MHz 800mW Surface Mount SOT-223 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1A, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 6A |
| Numéro de pièce de base: | NSS60600 |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes NSV60600MZ4T3G
Latest Nouvelles
- Onsemi a lancé le premier emballage de péage au monde 650 V en carbure de silicium MOSFET
- Le kit de développement de moteurs d'ON Semiconductor se concentre d'abord sur l'efficacité énergétique
- La plate-forme lidar à temps de vol direct (dToF) de photomultiplicateur au silicium (SiPM) d'ON Semiconductor fournit des conceptions prêtes à l'emploi pour les applications industrielles
- ON Semiconductor et Theta Power Systems International établissent un partenariat pour les applications de contrôle moteur
- ON Semiconductor nomme Hassane El-Khoury au poste de PDG (PDG) successeur