NSV60101DMTWTBG
- Modèle de produit:
- NSV60101DMTWTBG
- Fabricant:
- ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 75650 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- NSV60101DMTWTBG.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-NSV60101DMTWTBG |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 180mV @ 100mA, 1A |
| Transistor Type: | 2 NPN (Dual) |
| Package composant fournisseur: | 6-WDFN (2x2) |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 2.27W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Autres noms: | NSV60101DMTWTBG-ND NSV60101DMTWTBGOSTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 19 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 180MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 180MHz 2.27W Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 500mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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