Numéro de pièce interne | RO-MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
Tension - Alimentation: | 2.5 V ~ 3.6 V |
La technologie: | FLASH - NAND |
Séries: | - |
Température de fonctionnement: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire: | Non-Volatile |
Taille mémoire: | 512Gb (64G x 8) |
Interface mémoire: | Parallel |
Format de mémoire: | FLASH |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée: | FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 333MHz |
Fréquence d'horloge: | 333MHz |
Email: | [email protected] |