Interne Teilenummer | RO-MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
Spannungsversorgung: | 2.5 V ~ 3.6 V |
Technologie: | FLASH - NAND |
Serie: | - |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Non-Volatile |
Speichergröße: | 512Gb (64G x 8) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | FLASH |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 333MHz |
Uhrfrequenz: | 333MHz |
Email: | [email protected] |