Numéro de pièce interne | RO-2SA2169-E |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 580mV @ 250mA, 5A |
Transistor Type: | PNP |
Package composant fournisseur: | TP |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 950mW |
Emballage: | Bulk |
Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Autres noms: | 2SA2169-E-ND 2SA2169-EOS |
Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 2 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | 130MHz |
Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 10A 130MHz 950mW Through Hole TP |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 1A, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 10A |
Email: | [email protected] |