Interne Teilenummer | RO-2SA2169-E |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 580mV @ 250mA, 5A |
Transistor-Typ: | PNP |
Supplier Device-Gehäuse: | TP |
Serie: | - |
Leistung - max: | 950mW |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Andere Namen: | 2SA2169-E-ND 2SA2169-EOS |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 2 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 130MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 10A 130MHz 950mW Through Hole TP |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 200 @ 1A, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 10A |
Email: | [email protected] |