Sisäinen osanumero | RO-TPH2010FNH,L1Q |
---|---|
Kunto | Original New |
Maa alkuperä | Contact us |
Alkuun Merkintä | email us |
Korvaus | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-SOP Advance (5x5) |
Sarja: | U-MOSVIII-H |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 198 mOhm @ 2.8A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 1.6W (Ta), 42W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-PowerVDFN |
Muut nimet: | TPH2010FNH,L1Q(M TPH2010FNHL1QTR |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 250V |
Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 250V 5.6A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 5.6A (Ta) |
Email: | [email protected] |