Sisäinen osanumero | RO-TPH1R712MD,L1Q |
---|---|
Kunto | Original New |
Maa alkuperä | Contact us |
Alkuun Merkintä | email us |
Korvaus | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 1mA |
Vgs (Max): | ±12V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-SOP Advance (5x5) |
Sarja: | U-MOSVI |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.7 mOhm @ 30A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 78W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-PowerVDFN |
Muut nimet: | TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MDL1QTR |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 10900pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 182nC @ 5V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Yksityiskohtainen kuvaus: | P-Channel 20V 60A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |