Sisäinen osanumero | RO-FQA55N10 |
---|---|
Kunto | Original New |
Maa alkuperä | Contact us |
Alkuun Merkintä | email us |
Korvaus | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±25V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-3P |
Sarja: | QFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 26 mOhm @ 30.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 190W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2730pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 98nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 100V 61A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-3P |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 61A (Tc) |
Email: | [email protected] |