FQA55N10
- Artikelnummer:
- FQA55N10
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 62522 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- FQA55N10.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-FQA55N10 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±25V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3P |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 26 mOhm @ 30.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 190W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2730pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 98nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 100V 61A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 61A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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