2SC5706-P-E
- Osa numero:
- 2SC5706-P-E
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- TRANS NPN 100V 5A
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 80387 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- 2SC5706-P-E.pdf
esittely
We can supply 2SC5706-P-E, use the request quote form to request 2SC5706-P-E pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 2SC5706-P-E.The price and lead time for 2SC5706-P-E depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 2SC5706-P-E.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-2SC5706-P-E |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 240mV @ 100mA, 2A |
| transistori tyyppi: | NPN |
| Toimittaja Device Package: | TP |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 800mW |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Käyttölämpötila: | - |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 400MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 5A 400MHz 800mW Through Hole TP |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 500mA, 2V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 1µA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 5A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat 2SC5706-P-E
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)