TPCP8103-H(TE85LFM
- Número de pieza:
- TPCP8103-H(TE85LFM
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 76033 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.TPCP8103-H(TE85LFM.pdf2.TPCP8103-H(TE85LFM.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-TPCP8103-H(TE85LFM |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PS-8 (2.9x2.4) |
| Serie: | U-MOSIII-H |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 40 mOhm @ 2.4A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 840mW (Ta) |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres: | TPCP8103-H(TE85LFMCT |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 800pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
| Descripción detallada: | P-Channel 40V 4.8A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount PS-8 (2.9x2.4) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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