SSR1N60BTM_F080
- Número de pieza:
- SSR1N60BTM_F080
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 84564 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SSR1N60BTM_F080.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-SSR1N60BTM_F080 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D-Pak |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 12 Ohm @ 450mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 215pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 7.7nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción detallada: | N-Channel 600V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 900mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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