SSM6N58NU,LF
- Número de pieza:
- SSM6N58NU,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 66496 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SSM6N58NU,LF.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-SSM6N58NU,LF |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo: | 6-UDFN (2x2) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 84 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 1W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | SSM6N58NU,LF(B SSM6N58NU,LF(T SSM6N58NULF SSM6N58NULFTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 129pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN (2x2) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A |
| Email: | [email protected] |
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