SSM6J505NU,LF
- Número de pieza:
- SSM6J505NU,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 75896 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SSM6J505NU,LF.pdf
Introducción
We can supply SSM6J505NU,LF, use the request quote form to request SSM6J505NU,LF pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SSM6J505NU,LF.The price and lead time for SSM6J505NU,LF depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SSM6J505NU,LF.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Especificaciones
| Número de parte interno | RO-SSM6J505NU,LF |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±6V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 6-UDFNB (2x2) |
| Serie: | U-MOSVI |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 12 mOhm @ 4A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.25W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | SSM6J505NU,LF(B SSM6J505NU,LF(T SSM6J505NULF SSM6J505NULFTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2700pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 37.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 12V |
| Descripción detallada: | P-Channel 12V 12A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SSM6J505NU,LF
Latest Noticias
- Toshiba ha desarrollado el primer módulo MOSFET de doble carburo de 2200V de la industria para ayudar a la miniaturización eficiente y la miniaturización de los equipos industriales
- Toshiba lanzó el primer optoacopler de automóvil de salida de Transistor 200V.
- TOSHIBA lanza una alta relación de rechazo de ondulación y un regulador LDO de bajo ruido con mayor estabilidad de la línea de alimentación
- TOSHIBA introdujo optoacopladores ligeros y delgados para la unidad de compuerta IGBT y MOSFET, operación a alta temperatura, posiciones traseras o con restricción de altura: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA lanza IGBT discretos que ayudan a reducir el consumo de energía y la radiación de los electrodomésticos: GT30J110SRA
- Toshiba lanza el controlador de motor de puente en H de 2 canales y 5A para aplicaciones automotrices
- Toshiba lanza 5 juegos de microcontroladores avanzados de la nueva familia TXZ + ™ para lograr un bajo consumo de energía, miniaturización del sistema de apoyo y control del motor