RN1105MFV,L3F
- Número de pieza:
- RN1105MFV,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 70904 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- RN1105MFV,L3F.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-RN1105MFV,L3F |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Tipo de transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Paquete del dispositivo: | VESM |
| Serie: | - |
| Resistor - Base del emisor (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Potencia - Max: | 150mW |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-723 |
| Otros nombres: | RN1105MFV(TL3T)CT RN1105MFV(TL3T)CT-ND RN1105MFV,L3FCT |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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