FDFMA2P859T
- Número de pieza:
- FDFMA2P859T
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 37351 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- FDFMA2P859T.pdf
Introducción
We can supply FDFMA2P859T, use the request quote form to request FDFMA2P859T pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDFMA2P859T.The price and lead time for FDFMA2P859T depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDFMA2P859T.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Especificaciones
| Número de parte interno | RO-FDFMA2P859T |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | MicroFET 2x2 Thin |
| Serie: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.4W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | FDFMA2P859TTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 435pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de FDFMA2P859T
Latest Noticias
- Onsemi lanzó el primer empaque de peaje del mundo 650 V Silicon Carbide MOSFET
- El kit de desarrollo de motores de ON Semiconductor se centra primero en la eficiencia energética
- La plataforma lidar de fotomultiplicador de silicio (SiPM) de tiempo de vuelo directo (dToF) de ON Semiconductor proporciona diseños listos para usar para aplicaciones de rango industrial
- ON Semiconductor y Theta Power Systems International establecen una asociación para aplicaciones de control de motores
- ON Semiconductor nombra a Hassane El-Khoury como consejero delegado sucesor (CEO)