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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > ESM2012DV
ESM2012DV
ESM2012DV
Número de pieza:
ESM2012DV
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
57270 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
ESM2012DV.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-ESM2012DV
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
Tensión - Colector-emisor (máx):120V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 1A, 100A
Tipo de transistor:NPN - Darlington
Paquete del dispositivo:ISOTOP®
Serie:-
Potencia - Max:175W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:ISOTOP
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:-
Descripción detallada:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 120A 175W Chassis Mount ISOTOP®
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:1200 @ 100A, 5V
Corriente - corte del colector (Max):-
Corriente - colector (Ic) (Max):120A
Email:[email protected]

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