SSM6N36FE,LM
- Artikelnummer:
- SSM6N36FE,LM
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 35104 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.SSM6N36FE,LM.pdf2.SSM6N36FE,LM.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-SSM6N36FE,LM |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Supplier Device-Gehäuse: | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 630 mOhm @ 200mA, 5V |
| Leistung - max: | 150mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen: | SSM6N36FE(TE85L,F) SSM6N36FE(TE85LF)TR SSM6N36FE(TE85LF)TR-ND SSM6N36FE,LM(B SSM6N36FE,LM(T SSM6N36FELM(TTR SSM6N36FELM(TTR-ND SSM6N36FELMTR SSM6N36FETE85LF |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 46pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.23nC @ 4V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 500mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 500mA |
| Basisteilenummer: | SSM6N36 |
| Email: | [email protected] |
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